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Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del MOSFET del conductor del motor del parámetro BLDC

Comentarios de cliente
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Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del MOSFET del conductor del motor del parámetro BLDC

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del MOSFET del conductor del motor del parámetro BLDC
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del MOSFET del conductor del motor del parámetro BLDC Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del MOSFET del conductor del motor del parámetro BLDC

Ampliación de imagen :  Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del MOSFET del conductor del motor del parámetro BLDC

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: JUYI
Número de modelo: JY14M
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 set
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: Cartón del PE bag+
Tiempo de entrega: 5-10 días
Condiciones de pago: T/T, L/C, Paypal
Capacidad de la fuente: 1000sets/day

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del MOSFET del conductor del motor del parámetro BLDC

descripción
voltaje de la Dren-fuente: 40 V Voltaje de la Puerta-Fuente: ±20V
Disipación de poder máxima: 210W Corriente pulsada del dren: 720A
circuitos de alta frecuencia: color: blanco y negro
Alta luz:

conductor de gran intensidad del mosfet

,

conductor del mosfet del pwm

MOSFET del poder del modo del aumento del canal N de JY14M para el conductor del motor de BLDC

 

 

DESCRIPCIÓN GENERAL


El JY14M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.


CARACTERÍSTICAS
● 40V/200A, RDS (ENCENDIDO) =2.5MΩ@VGS=10V
Transferencia rápida del ● y recuperación reversa del cuerpo
Voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha del ●
Paquete excelente del ● para la buena disipación de calor


USOS
Uso de la transferencia del ●
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●
Gestión del poder del ● para los sistemas del inversor

 

Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Límite Unidad
VDS Voltaje de la Dren-fuente 40 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente ± 20 V
Identificación Dren continuo
Actual
Tc=25ºC 200 A
Tc=100ºC 130
IDM Corriente pulsada del dren 720 A
Paladio Disipación de poder máxima 210 W
TJ TSTG Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
Gama
-55 a +175 ºC
RθJC Resistencia-empalme termal al caso 0,65 ºC/W
RθJA Resistencia-empalme termal a ambiente 62


Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Tipo Máximo Unidad
Características estáticas
BVDSS Dren-fuente
Voltaje de avería
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA 40 V
IDSS Voltaje cero de la puerta
Drene la corriente
VDS =100V, VGS =0V 1 UA
IGSS Salida del Puerta-cuerpo
Actual
=± 20V, VDS =0V de VGS ± 100 nA
VGS (th) Umbral de la puerta
Voltaje
VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA 2,0 3,0 4,0 V
RDS (ENCENDIDO) Dren-fuente
resistencia del En-estado
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =60A 2,5
gFS Delantero
Transconductancia
VDS =20V, IDENTIFICACIÓN =60A 100 S


Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Tipo Máximo Unidad
Características de diodo de la Dren-fuente
VSD Diodo adelante
Voltaje
VGS =0V, DSI =100A 1,2 V
Trr Tiempo de recuperación reversa DSI =100A
di/dt=100A/us
38 ns
Qrr Carga reversa de la recuperación 58 nC
Características dinámicas
RG Resistencia de la puerta VGS =0V, VDS =0V,
f=1MHZ
1,2 Ω
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura VDS =20V, RG =6Ω,
Identificación =100A,
VGS =10V,
34 ns
Tr Tiempo de subida de abertura 22
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado 48
Tf Tiempo de caída de la vuelta-apagado 60
CISS Capacitancia de la entrada VGS =0V,
VDS =20V,
f=1.0MHz
5714 PF
COSS Capacitancia de salida 1460
CRSS Transferencia reversa
Capacitancia
600
Qg Carga total de la puerta VDS =30V, IDENTIFICACIÓN =100A,
VGS =10V
160 nC
Qgs Carga de la Puerta-fuente 32
Qgd Carga del Puerta-dren 58


 

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del MOSFET del conductor del motor del parámetro BLDC 0
 

MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY14M

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del MOSFET del conductor del motor del parámetro BLDC 1JY14M.pdf

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