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Datos del producto:
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| Voltaje de la Dren-fuente: | Las demás: | Voltaje de la Puerta-fuente: | ±20V |
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| Disipación de poder máxima: | 210W | Corriente pulsada del dren: | Las demás: |
| Alta tensión: | - ¿ Qué? | Recuperación del cuerpo inverso: | - ¿ Qué? |
| Alta luz: | conductor del mosfet del pwm,conductor de pasos del mosfet |
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MOSFET del poder del modo del aumento del canal N de JY11M
DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY11M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.
CARACTERÍSTICAS
● 100V/110A, RDS (ENCENDIDO) =6.5MΩ@VGS=10V
Transferencia rápida del ● y recuperación reversa del cuerpo
Voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha del ●
Paquete excelente del ● para la buena disipación de calor
USOS
Uso de la transferencia del ●
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●
Gestión del poder del ● para los sistemas del inversor
Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Límite | Unidad | |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 100 | V | |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V | |
| Identificación | Dren continuo Actual |
Tc=25ºC | 110 | A |
| Tc=100ºC | 82 | |||
| IDM | Corriente pulsada del dren | 395 | A | |
| Paladio | Disipación de poder máxima | 210 | W | |
| TJ TSTG | Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento Gama |
-55 a +175 | ºC | |
| RθJC | Resistencia-empalme termal al caso | 0,65 | ºC/W | |
| RθJA | Resistencia-empalme termal a ambiente | 62 |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| Características estáticas | ||||||
| BVDSS | Dren-fuente Voltaje de avería |
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 100 | V | ||
| IDSS | Voltaje cero de la puerta Drene la corriente |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | UA | ||
| IGSS | Salida del Puerta-cuerpo Actual |
=± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | nA | ||
| VGS (th) | Umbral de la puerta Voltaje |
VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente resistencia del En-estado |
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =40A | 6,5 | mΩ | ||
| gFS | Delantero Transconductancia |
VDS =50V, IDENTIFICACIÓN =40A | 100 | S |
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY11M
Persona de Contacto: Ms. Lisa
Teléfono: +86-18538222869
