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Conductor de gran intensidad del Mosfet para el conductor del motor de BLDC, Mosfet del circuito de puente de 30A H

Comentarios de cliente
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Conductor de gran intensidad del Mosfet para el conductor del motor de BLDC, Mosfet del circuito de puente de 30A H

Conductor de gran intensidad del Mosfet para el conductor del motor de BLDC, Mosfet del circuito de puente de 30A H
Conductor de gran intensidad del Mosfet para el conductor del motor de BLDC, Mosfet del circuito de puente de 30A H Conductor de gran intensidad del Mosfet para el conductor del motor de BLDC, Mosfet del circuito de puente de 30A H

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Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: JUYI
Número de modelo: JY12M
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 set
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: Cartón del PE bag+
Tiempo de entrega: 5-10 días
Condiciones de pago: T/T, L/C, Paypal
Capacidad de la fuente: 1000sets/day

Conductor de gran intensidad del Mosfet para el conductor del motor de BLDC, Mosfet del circuito de puente de 30A H

descripción
voltaje de la Dren-fuente: 30 V Voltaje de la Puerta-Fuente: ±20V
Disipación de poder máxima: 1.5W Corriente pulsada del dren: 30A
Aplicación: Convertidor de DC/DC color: Negro
Alta luz:

conductor del mosfet del pwm

,

conductor de pasos del mosfet

JY12M N y P canalizan MOSFET 30V para el conductor del motor de BLDC

 

 

 

DESCRIPCIÓN GENERAL


El JY12M es los transistores del campo del poder del modo del aumento de la lógica del canal de N y de P
se producen usando alta tecnología del foso de la densidad de célula DMOS. Esta alta densidad
el proceso se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado. Estos dispositivos son
adaptado particularmente para el uso de la baja tensión tal como teléfono móvil y cuaderno
gestión del poder del ordenador y otros circuitos con pilas donde alto-lado
el cambiar, y el apagón en línea bajo se necesitan en una superficie muy pequeña del esquema
paquete del soporte.


CARACTERÍSTICAS

Dispositivo RDS (ENCENDIDO) MAX IDMAX (25ºC)
Canal N 20mΩ@VGS=10V 8.5A
32mΩ@VGS=4.5V 7.0A
P-canal 45mΩ@VGS=-10V -5.5A
85mΩ@VGS=-4.5V -4.1A


Capacitancia baja de la entrada del ●
Velocidad de transferencia rápida del ●


USOS
Gestión del poder del ●
Convertidor del ● DC/DC
Control de motor de DC del ●
● LCD TV y inversor de la exhibición del monitor
Inversor del ● CCFL

 

Grados máximos absolutos (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro Símbolo Canal N Canal de P Unidad
sec 10 Constante sec 10 Constante
Drene el voltaje de la fuente VDSS 30 -30 V
Voltaje de fuente de puerta VDSS ±20 ±20
Continuo
Drene la corriente
ºC Ta=25 Identificación 8,5 6,5 -7,0 -5,3 A
ºC Ta=70 6,8 5,1 -5,5 -4,1
Corriente pulsada del dren IDM 30 -30
Poder máximo
Disipación
ºC Ta=25 Paladio 1,5 W
ºC Ta=70 0,95
Empalme de funcionamiento
Temperatura
TJ -55 a 150 ºC
Resistencia termal
Empalme a ambiente
RθJA 61 100 62 103 ºC/W
Resistencia termal
Empalme al caso
RθJC 15 15 ºC/W


Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Tipo Máximo Unidad
Estático
VGS (th) Umbral de la puerta
Voltaje
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA N-Ch 1,0 1,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =-250UA P-Ch -1,0 -1,5 -3,0
IGSS Salida de la puerta
Actual
VDS =0V, VGS =±20V N-Ch ±100 nA
P-Ch ±100
IDSS Voltaje cero de la puerta
Drene la corriente
VDS =30V, VGS =0V N-Ch 1 UA
VDS =-30V, VGS =0V P-Ch -1
IDENTIFICACIÓN (ENCENDIDO) Dren del En-estado
Actual
VDS ≥5V, VGS =10V N-Ch 20 A
VDS ≤-5V, VGS =-10V P-Ch -20
RDS (ENCENDIDO) Dren-fuente
En-estado
Resistencia
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =7.4A N-Ch 15 20
VGS =-10V, IDENTIFICACIÓN =-5.2A P-Ch 38 45
VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =6.0A N-Ch 23 32
VGS =-4.5V, IDENTIFICACIÓN =-4.0A P-Ch 65 85
VSD Diodo adelante
Voltaje
ES =1.7A, VGS =0V N-Ch 0,8 1,2 V
ES =-1.7A, VGS =0V P-Ch -0,8 -1,2


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MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY12M

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