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La superficie del canal 40V del MOSFET N y de P del conductor del motor de JY13M BLDC monta

Comentarios de cliente
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La superficie del canal 40V del MOSFET N y de P del conductor del motor de JY13M BLDC monta

La superficie del canal 40V del MOSFET N y de P del conductor del motor de JY13M BLDC monta
La superficie del canal 40V del MOSFET N y de P del conductor del motor de JY13M BLDC monta La superficie del canal 40V del MOSFET N y de P del conductor del motor de JY13M BLDC monta

Ampliación de imagen :  La superficie del canal 40V del MOSFET N y de P del conductor del motor de JY13M BLDC monta

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: JUYI
Número de modelo: JY13M
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 set
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: Cartón del PE bag+
Tiempo de entrega: 5-10 días
Condiciones de pago: T/T, L/C, Paypal
Capacidad de la fuente: 1000sets/day

La superficie del canal 40V del MOSFET N y de P del conductor del motor de JY13M BLDC monta

descripción
voltaje de la Dren-fuente: 40 V Voltaje de la Puerta-Fuente: ±20V
Disipación de poder máxima: 2w Corriente pulsada del dren: 30A
Velocidad de transferencia rápida: Forma: Plaza
Alta luz:

conductor de gran intensidad del mosfet

,

conductor del mosfet del pwm

JY13M N y P canalizan MOSFET 40V para el conductor del motor de BLDC


DESCRIPCIÓN GENERAL


El JY13M es los transistores del campo del poder del modo del aumento de la lógica del canal de N y de P
Cuál puede proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. El complementario
Los MOSFETs se pueden utilizar en H-puente, inversores y otros usos.


CARACTERÍSTICAS

Dispositivo VBR (DSS) RDS (ENCENDIDO) MAX TJ =25ºC Paquete
Canal N 40V <30m>GS=10V, ID=12A TO252-4L
<40m>GS=4.5V, ID=8A
P-canal -40V <45m>GS=-10V, ID=-12A
<66m>GS=-4.5V, ID=-8A


Capacitancia baja de la entrada del ●
Velocidad de transferencia rápida del ●

 

Grados máximos absolutos (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro Símbolo Canal N Canal de P Unidad
Drene el voltaje de la fuente VDSS 40 -40 V
Voltaje de fuente de puerta VDSS ±20 ±20
Continuo
Drene la corriente
Ta=25ºC Identificación 12 -12 A
Ta=100ºC 12 -12
Corriente pulsada del dren IDM 30 -30
Poder máximo
Disipación
Ta=25ºC Paladio 2 W
Ta=70ºC 1,3
Empalme y almacenamiento
Gama de temperaturas
TJ TSTG -55 a 150 ºC
Resistencia termal
Empalme a ambiente
RθJA 10s 25 ºC/W
Constante 60
Resistencia termal
Empalme al caso
RθJC 5,5 5 ºC/W


Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Tipo Máximo Unidad
Estático
VGS (th) Umbral de la puerta
Voltaje
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA N-Ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =-250UA P-Ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Salida de la puerta
Actual
VDS =0V, VGS =±20V N-Ch ±100 nA
P-Ch ±100
IDSS Voltaje cero de la puerta
Drene la corriente
VDS =40V, VGS =0V N-Ch 1 UA
VDS =-40V, VGS =0V P-Ch -1
IDENTIFICACIÓN (ENCENDIDO) Dren del En-estado
Actual
VDS =5V, VGS =10V N-Ch 30 A
VDS =-5V, VGS =-10V P-Ch -30
RDS (ENCENDIDO) Dren-fuente
En-estado
Resistencia
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =12A N-Ch 24 30
VGS =-10V, IDENTIFICACIÓN =-12A P-Ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =8A N-Ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFICACIÓN =-8A P-Ch 51 66
VSD Diodo adelante
Voltaje
ES =1.0A, VGS =0V N-Ch 0,76 1,0 V
ES =-1.0A, VGS =0V P-Ch -0,76 -1,0

 

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MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY13M

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