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JUYI JY16M Controlador de potencia Mosfet Alta eficiencia de modo de interruptor de energía para la placa del conductor del motor BLDC

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JUYI JY16M Controlador de potencia Mosfet Alta eficiencia de modo de interruptor de energía para la placa del conductor del motor BLDC

Nombre De La Marca:	JUYI
Número De Modelo:	JY16M
Cuota De Producción:	1 set
Precio:	Negociable
Detalles Del Embalaje:	Cartón del PE bag+
Condiciones De Pago:	T/T, L/C, Paypal

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Voltaje de la Dren-fuente:

600 V

Voltaje de la Puerta-fuente:

Disipación de poder máxima:

Corriente pulsada del dren:

Aplicación:

Iluminación

Forma de las piezas:

Cuadrado

Capacidad de la fuente:

1000sets/day

Resaltar:

conductor del mosfet del pwm

conductor de pasos del mosfet

Descripción del Producto

Paquete del canal N 600V TO220F-3 de JY16M
MOSFET del poder del modo del aumento para el conductor del motor de BLDC

DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY16M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.

CARACTERÍSTICAS
● 600V/4A, RDS (ENCENDIDO) =2.6Ω@VGS=10V
Transferencia rápida del ● y recuperación reversa del cuerpo
Paquete excelente del ● para la buena disipación de calor

USOS
Iluminación del ●
Fuentes de alimentación del modo del interruptor de la eficacia alta del ●

Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Clasificación	Unidad
VDS	Voltaje de la Dren-fuente	600	V
VGS	Voltaje de la Puerta-fuente	± 30	V
Identificación	Dren continuo Actual	Tc=25ºC	4	A
Tc=100ºC	2,9
IDM	Corriente pulsada del dren	16	A
Paladio	Disipación de poder máxima	33	W
TJ TSTG	Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento Gama	-55 a +150	ºC
RθJC	Resistencia-empalme termal al caso	1,5	ºC/W
RθJA	Resistencia-empalme termal a ambiente	62

Características eléctricas (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Condiciones	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
Características estáticas
BVDSS	Dren-fuente Voltaje de avería	VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA	600	V
IDSS	Voltaje cero de la puerta Drene la corriente	VDS =600V, VGS =0V	1	UA
IGSS	Salida del Puerta-cuerpo Actual	=± 30V, VDS =0V de VGS	± 100	nA
VGS (th)	Umbral de la puerta Voltaje	VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA	2,0	3,0	4,0	V
RDS (ENCENDIDO)	Dren-fuente resistencia del En-estado	VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =4A	2,6	2,8	Ω

Características eléctricas (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Condiciones	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
Características de diodo de la Dren-fuente
VSD	Diodo adelante Voltaje	VGS =0V, DSI =2A	1,5	V
Trr	Tiempo de recuperación reversa	DSI =4A di/dt=100A/us	260	ns
Qrr	Carga reversa de la recuperación	1,5	nC
Características dinámicas
RG	Resistencia de la puerta	VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ	5	Ω
TD (encendido)	Tiempo de retraso de abertura	VDS =300V, RG =25Ω, IDENTIFICACIÓN =4A, VGS =10V,	15	ns
Tr	Tiempo de subida de abertura	48
TD (apagado)	Tiempo de retraso de la vuelta-apagado	28
Tf	Tiempo de caída de la vuelta-apagado	35
CISS	Capacitancia de la entrada	VGS =0V, VDS =25V, f=1.0MHz	528	PF
COSS	Capacitancia de salida	72
CRSS	Transferencia reversa Capacitancia	9
Qg	Carga total de la puerta	VDS =480V, IDENTIFICACIÓN =4A, VGS =10V	16	nC
Qgs	Carga de la Puerta-fuente	3,5
Qgd	Carga del Puerta-dren	7,1

MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY16M

JY16M.pdf

Etiquetas:

Interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA de la tecnología de JUYI alto, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V

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Alto poder del modo del aumento del MOSFET del conductor del motor del lado BLDC para la transferencia del poder

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