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Juyi 500V/8A N MOSFET de potencia en modo de mejora de canal

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Juyi 500V/8A N MOSFET de potencia en modo de mejora de canal

Nombre De La Marca:	JUYI
Número De Modelo:	JY8N5M
Cuota De Producción:	10SET
Precio:	Negociable
Detalles Del Embalaje:	Bolsa de PE+ Cartón
Condiciones De Pago:	El pago de las cuotas se efectuará en el momento en que el importe de las cuotas sea superior al imp

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China.

Voltaje de la Dren-fuente:

Las demás:

Voltaje de la Puerta-fuente:

Corriente pulsada del dren:

Disipación de poder máxima:

Capacidad de la fuente:

1000sets/day

Resaltar:

MOSFET de potencia de 500 V

8A MOSFET de potencia

mosfet del poder del canal N

Descripción del Producto

Juyi 500V/8A N MOSFET de potencia en modo de mejora de canal

Descripción general

El producto utiliza las técnicas avanzadas de procesamiento planar para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con alta repetición

Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en aplicaciones de conmutación de energía y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Características

● 500V/8A, RDS ((ON) = 0,75Ω@VGS=10V ((típico)

● Cambio rápido y recuperación del cuerpo al revés

● Excelente paquete para una buena disipación de calor

Las aplicaciones

● Iluminación

● Fuentes de alimentación de alta eficiencia en modo conmutador

Descripción del código PIN

Calificaciones máximas absolutas ((Tc=25oC a menos que se indique lo contrario)

El símbolo	Parámetro		Límites	Unidad
V.D.S.	Voltado de la fuente de drenaje		500	V.
V.GS	Voltado de la fuente de la puerta		± 30	V.
Yo...D	Desagüe continuo En la actualidad	Tc=25oC	8	A. No
Yo...D	Desagüe continuo En la actualidad	Tc=100oC	4.8	A. No
Yo...El DM	Corriente de drenaje pulsado		30	A. No
PD	Disposición máxima de energía		80	No
T.J.T.Sector de la salud	Intervalo de temperatura de las uniones de funcionamiento y de almacenamiento		-55 + 150	oC
RθJC	Resistencia térmica-junción con el estuche		1.56	°C/W

Características eléctricas ((Tc=25oC a menos que se indique lo contrario)

Características eléctricas ((Ta=25oC a menos que se indique lo contrario)

Etiquetas:

conductor del mosfet del pwm

conductor de gran intensidad del mosfet

conductor de pasos del mosfet

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