Inicio ProductosMOSFET del conductor del motor de BLDC

alto interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V

Comentarios de cliente
El gran servicio de atención al cliente y todo llegaron a tiempo. El producto era trabajo de la calidad.

—— Malik Guillermo

El grandes producto y nosotros somos muy felices con la sensibilidad. Hemos comprado épocas múltiples y seguimos muy satisfechos.

—— Alfarero de Matheus

Estoy en línea para chatear ahora

alto interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V

alto interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V
alto interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V

Ampliación de imagen :  alto interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: JUYI
Número de modelo: JY21L
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 set
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: Cartón del PE bag+
Tiempo de entrega: 5-10 días
Condiciones de pago: T/T, L/C, Paypal
Capacidad de la fuente: 1000sets/day

alto interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V

descripción
Gama de la fuente de la impulsión de la puerta: 5.5V a 20V Capacidad de la corriente de la fuente/del fregadero de la salida: 450mA/850mA
Fuente flotante del alto lado: -0.3-150V Fuente del lado bajo y de alimentación principal: -0.3-25V
alta velocidad: color: Negro
Alta luz:

conductor de gran intensidad del mosfet

,

conductor del mosfet del pwm

Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P-EPI.

 

Descripción general
El producto es un conductor de alto voltaje, de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basado encendido
Proceso de P-SUB P-EPI. El conductor del canal de flotación se puede utilizar para conducir el canal N dos
accione el MOSFET o IGBT independientemente que actúan hasta 150V. Las entradas de la lógica son
compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. La salida
los conductores ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz mínima del conductor
conducción. Los retrasos de propagación se hacen juego para simplificar uso en de alta frecuencia
usos.


Características
lógica del ● 3.3V compatible
● completamente - operativo a +150V
Canal de flotación del ● diseñado para la operación del tirante
Gama de la fuente de la impulsión de la puerta del ● de 5.5V a 20V
El ● hizo salir la capacidad actual 450mA/850mA de la fuente/del fregadero
Entrada independiente de la lógica del ● para acomodar todas las topologías
negativa del ● -5V contra capacidad
Retraso de propagación hecho juego ● para ambos canales


Usos
Conductor del MOSFET o de IGBT del poder del ●
Conductor pequeño y de potencia media del ● del motor
 

alto interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V 0

 

Descripción del Pin

Número pin Nombre de Pin Función del Pin
1 VCC Fuente del lado bajo y de alimentación principal
2 HIN Lógica entrada para el alto conductor lateral de la puerta hecho salir (HO)
3 LIN La lógica entró para el conductor lateral bajo de la puerta hecho salir (LO)
4 COM Tierra
5 LO Salida lateral baja de la impulsión de la puerta, en fase con LIN
6 CONTRA Vuelta flotante de la fuente del alto lado o vuelta del tirante
7 HO Alta salida lateral de la impulsión de la puerta, en fase con HIN
8 VB Fuente flotante del alto lado


Grados máximos absolutos

Símbolo Definición MÍNIMO. MÁXIMO. Unidades
VB Fuente flotante del alto lado -0,3 150 V
CONTRA Vuelta flotante de la fuente del alto lado VB-20 VB +0,3
VHO Alta salida lateral de la impulsión de la puerta VS-0.3 VB +0,3
VCC Fuente del lado bajo y de alimentación principal -0,3 25
VLO Salida lateral baja de la impulsión de la puerta -0,3 VCC +0,3
VIN Entrada de la lógica de HIN&LIN -0,3 VCC +0,3
ESD Modelo de HBM 2500 V
Modelo de máquina 200 V
Paladio Disipación de poder del paquete @TA≤25ºC 0,63 W
RthJA Empalme de la resistencia termal a ambiente 200 ºC/W
TJ Temperatura de empalme 150 ºC
TS Temperatura de almacenamiento -55 150
TL Temperatura de la ventaja 300


Nota: Exceder estos grados puede dañar el dispositivo

MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY21L

alto interruptor lateral del Mosfet 450mA/850mA, conductor compatible del Mosfet de Bldc de la lógica 3.3V 1JY21L.pdf

Contacto
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)